William Bradford Shockley

(Londres, 1910 - Palo Alto, 1989) Físico norteamericano. Doctorado por la Universidad de California, William Shockley ingresó en 1936 en los laboratorios de Murray Hill, de la empresa Bell Telephone Company. Durante la Segunda Guerra Mundial dirigió el proyecto de defensa submarina de los Estados Unidos y prestó servicio a su nación como asesor del secretariado de la Guerra (1945). Finalizada la contienda, en 1953 fue nombrado director del departamento de transistores de la citada empresa.

William B. Shockley

Shockley colaboró con John Bardeen y Walter Houser Brattain en la construcción de aparatos semiconductores que desplazaran a los tubos de vacío. Con sus trabajos demostraron que los cristales de germanio eran mejores rectificadores que los utilizados hasta la fecha, dependiendo su efecto de la trazas de impurezas contenidas en los mismos. Mediante el empleo de un rectificador de germanio, con contactos metálicos que incluían una aguja en conexión con el cristal, el equipo inventó el transmisor de contacto puntual.

Poco después, Shockley construyó el transistor de unión, que usaba una unión entre dos partes, tratadas de modo diferente, de un cristal de silicio. Tales semiconductores de estado sólido tienen la virtud de rectificar y amplificar la corriente que circula a través de ellos. Gracias a estos aparatos pequeños y muy fiables se abrió camino hacia la miniaturización de los circuitos de radio, televisión y de los equipos de ordenadores, proporcionando un formidable impulso al desarrollo de la electrónica y la informática. William Shockley recibió el premio Nobel de Física de 1956, que compartió con John Bardeen y Walter H. Brattain, por sus investigaciones de los semiconductores y el descubrimiento del efecto transistor.

Cómo citar este artículo:
Fernández, Tomás y Tamaro, Elena. «». En Biografías y Vidas. La enciclopedia biográfica en línea [Internet]. Barcelona, España, 2004. Disponible en [fecha de acceso: ].